Renesas dévoile le premier commutateur GaN bidirectionnel de classe 650 V

Pour les onduleurs solaires, les centres de données IA et plus encore…

- Technologie GaN bidirectionnelle de première mondiale avec blocage DC intégré, réduisant drastiquement le nombre de commutateurs nécessaires dans les topologies de conversion de puissance - Compatible avec des drivers de grille standards - Fonctionnement possible en commutation douce et dure, avec des transitions rapides et propres

Share

J-6: NAE in full force at EUROSATORY 2026
Discover
Design of a Fast Dynamic On-Resistance Measurement Circuit for GaN Power HEMTs
Discover
Need additional information or want to exchange with our experts? Contact us now.

Stay informed and don't miss any of our news.