Transistors HEMT GaN Rad-Hard pour conceptions spatiales

Transistors HEMT GaN Rad-Hard pour conceptions spatiales

Infineon Technologies a lancé une famille de transistors en nitrure de gallium (GaN) résistants aux radiations, fabriqués en interne dans sa propre fonderie. Les transistors GaN à haute mobilité d’électrons (HEMT) sont basés sur la technologie CoolGaN d’Infineon et...