Texas Instruments a développé les premiers pilotes de grille pour transistors à effet de champ (FET) en nitrure de gallium (GaN) durcis aux radiations et capables de fonctionner jusqu’à 200 V.Optimiser la taille, le poids et l’efficacité énergétique des solutions d’électronique de puissance s’avère particulièrement précieux dans les satellites, que ce soit pour réduire leur encombrement et leur masse, améliorer leur gestion thermique ou encore allonger leur durée de vie en mission.
Pour en savoir plus : Des pilotes de grille pour transistors GaN 200 V visent l’espace
